2023年8月29-31日，上海国际电力元件、可再生能源管理展览会PCIM Asia 2023在上海新国际博览中心举行。全球各地的电力电子及驱动技术厂商齐聚，探索行业最新趋势和创新发展。
士兰微电子携高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件等适用于光伏储能、新能源汽车多领域产品参加了本次盛会。
1. 高压大功率模块 || 适用于光伏储能等
士兰光伏储能模块产品，涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域，尤其在逆变器产品方面表现优异。传导损耗和开关损耗更低，更容易实现高频开关；带铜底板，有更好的散热能力。
使用场合：组串电站MPPT升压，面板单路电流60A。
电气特性：采用士兰5代中频950V IGBT，开关损耗小。
封装特性：采用士兰D3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
2. 高压大功率模块 || 适用于新能源汽车等
士兰车规级模块用于混动和纯电汽车领域，功率范围覆盖30-200kW，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，在严苛环境条件下具有更高的可靠性。
使用场合：混动和纯电动汽车主驱。
电气特性：采用士兰高密度沟槽工艺IGBT芯片和自研FRD的六单元拓扑模块。
封装特性：采用士兰B3封装，采用绝缘DBC，pinfin铜基板散热。
3. 高功率SiC器件 || 适用于光伏、汽车等
士兰微电子针对光伏、汽车等应用的高功率SiC产品系列具有更高的参数一致性，更低的失效不良率，从而满足高端客户需求。
SCDP120R013N2P48
SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封装的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士兰第二代平面工艺，提供了业界最低的开关损耗和最高的品质因素。适用于电动汽车的快速充电器和高压DC/DC转换器等场景。
SGTP140V120FDB7PW4
采用TO247P-4L封装的1200V、140A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺，高功率密度的工艺使其额定电流达到140A，具有低导通损耗和开关损耗的特点。主要满足绿色低碳场景，如太阳能光伏，不间断电源等。
4. 高能效IGBT器件 || 适用于白电、小家电等
士兰微电子致力于利用成熟的专业应用技术以及半导体产品系列，克服在最先进的系统中遇到的挑战，使洗衣机、冰箱和空调等高能耗设备成为过去。
SGTP50V60FD2PU
采用TO247-3L封装的600V、50A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺，在开关和导通损耗之间实现完美平衡，显著改善了器件的动态与静态性能，同时具有优秀的抗电磁干扰能力。在家电领域广泛应用。
士兰微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累，以及不断强化的工艺平台开发能力，不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力，为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案，助力产业的蓬勃发展。
