SVT10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
14A，100V，RDS(on)（典型值）=85mW@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
|---|---|---|---|---|
| SVT10111ND | 384 | 2020-04-11 | SVT10111ND 说明书_1.3 |
