SVF4N150PF(P7)(F)(S) N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于开关电源。
4A，1500V，RDS(on)（典型值）=5.0Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVF4N150PF(P7)(F)(S) | 467 | 2023-05-03 | SVF4N150PF(P7)(F)(S) 说明书_1.6 |
