由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院，江苏省工业和信息化厅以及南京江北新区管理委员会联合主办的2019世界半导体大会?高峰论坛于2019年5月17日在南京召开。会议揭晓了“第十三届（2018年度）中国半导体创新产品和技术项目的评选结果”。公司IGBT团队研发的40A、600V绝缘栅双极型晶体管荣获中国半导体创新产品和技术奖。
士兰微电子IGBT团队自主开发了40A、600V绝缘栅双极型晶体管（IGBT，型号SGT40N60NPFDPN）。SGT40N60NPFDPN是一种半导体功率器件产品，采用新一代平面栅场截止工艺技术制作，主要为高频逆变拓扑结构（全桥、半桥、双端正激等）应用而开发，该颗产品短路能力强，开关损耗低，且饱和压降也可保持同行业内较低值，具有正向温度特性，保证产品性能稳定，满足全桥、半桥硬开关逆变拓扑的高频化、高功率化的应用要求；广泛应用于电焊机、切割机和UPS逆变应用领域，在行业内有较好的口碑。尤其在电焊机领域，各大焊机品牌客户都有大量使用，市场使用反馈良好，在同规格产品中，士兰微电子SGT40N60NPFDPN的市场占有率接近70%，是绝对的焊机领域标杆产品；依托于士兰微电子成熟的工艺开发实力和生产管控能力，该颗产品的性能和质量表现稳定，市场表现优秀。
2019年世界半导体大会以“创新协作、世界同芯”为主题，吸引了半导体行业知名企业高层和行业内专家的参与。会上，与会嘉宾就应用热点与市场机遇进行了深入的交流。
