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士兰微电子再获国家科学技术进步奖
2024.06.26

2023年度国家科学技术奖于2024年6月24日正式揭晓,杭州士兰微电子股份有限公司的“功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用”项目荣获国家科技进步二等奖。

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这是士兰微电子第二次荣获“国家科学技术进步奖”,也是第三次在国家科学技术奖励大会上接受表彰。2020年1月10日,2019年度国家科学技术奖励大会上,士兰微电子的“高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖;2017年1月9日,2016 年度国家科学技术奖励大会上,士兰微电子的“用于集成系统和功率管理的多层次系统芯片低功耗设计技术”项目荣获国家科学技术进步奖二等奖。

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年,总部在中国杭州。2003年公司股票(600460)在上海证券交易所挂牌交易,成为第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。 得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子建立了完整的IDM模式,打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链,芯片产线实现了“从5吋到12吋”的跨越,并从硅基产线拓展到化合物产线,是国内主要的集成电路设计与制造一体的IDM企业之一。

经过持续的积累,士兰微电子在智能功率模块(IPM)、车规级主驱功率模块、碳化硅芯片、高端模拟电路、MEMS惯性传感器、车规级LED大灯照明等多个领域构建了核心竞争力,产品广泛应用于汽车、新能源、安防、工业、白电、笔电、手机、通讯、电力电子等行业。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。