EN
邮箱验证
您的邮箱:
验 证 码:
新闻资讯
士兰微解码新能源汽车OBC
2022.11.11

据国务院办公厅印发的《新能源汽车产业发展规划(2021-2035)》提出,到2025年,新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右,即达到1000万左右的新车销售规模。在该政策指导下新能源汽车销量规模得到井喷式增长,新兴的新能源汽车公司与传统车企在新的赛道领域良性竞争,助力行业的发展。

166858430536179326gN.png

车载充电机(On-board Charger, OBC)作为电动汽车不可或缺的部件之一,也随着电动汽车行业发展乘风而起。当前适用于主流电动车型的车载充电机功率等级为2.2kW、6.6kW和11kW,其中,6.6kW车载充电机为市场主流2021年市占比达到66%①,且市占比有扩大的趋势,参考2022上半年销量数据预测今年市占比达到75%②。11kW车载充电机受制于三相输入供电需求和成本占比压力,2021年市占比为5%,但随着在建新小区配套支持三项输入供电,参考2022上半年销量数据预测今年市占比会提高达到7%。2.2kW车载充电机适配于市场A00级车,2021年市占比为29%,但A00级车有更高续航里程的需求和更多车型的推出,参考2022年上半年销量数据市占比会有所降低为18%。

16685843359020807xsy.png

1668584338582421Nd16.png

士兰微推出的Mos、IGBT和SiC Mos产品主要匹配6.6kW和11kW车载充电机产品,为其提供完整的配套功率半导体解决方案。

6.6kW OBC配套功率半导体解决方案

士兰为6.6kW OBC前级PFC整流快管提供基于第五代场截止工艺制作而成650V IGBT方案,有75A和50A两种电流规格可以选择。其中75A的电流规格SGTQ75V65FDB1P7适用于40kHz以下的开关频率,SGTQ75V65FDB2P7优化了并联二极管反向恢复特性,适用于40kHz~60kHz的开关频率。PFC整流管提供650V 75A IGBT方案,SGTQ75V65LDB1P7因其二极管低Vf特性可以满足整机更高效率的要求。其中50A的电流规格SGTQ50V65FDB2P7适用于60kHz以下的开关频率,Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7合封Silan自研SiC二极管,拥有更低的开关损耗,支持80kHz以上的开关频率,有助于提升整机效率与功率密度。

士兰为6.6kW OBC后级DCDC原边提供两套解决方案。Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7提供更具性价比的方案,同时也提供基于士兰自研超结Mos工艺提供650V 41mohm SVSQ65R041P7HD4,以满足整机更高性能、更高效率的要求。

士兰为6.6kW OBC后级DCDC副边整流提供两套解决方案。Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7提供高开关频率的方案,IGBT SGTQ75V65FDB2P7提供更具性价比的方案。同时,士兰提供超结Mos SVSQ65R041P7HD4来满足整机更高性能、更高效率的要求。

1668584435176065A2dh.png

6.6kW OBC电路结构

11kW OBC配套功率半导体解决方案

士兰为11kW OBC前级PFC整流为满足800V母线电压的要求提供1200V 40mohm SiC Mos SCDP120R040NP4B和1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B,依据OBC整机散热能力与效率要求来选择合适的规格。SiC Mos相比于Si Mos有更快的开关速度,TO247-4封装可以提供更强的抗干扰性能。

士兰为11kW OBC后级DCDC原边为满足800V母线电压的要求提供1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B,满足OBC整机对性能与成本的双重需求。

士兰为11kW OBC后级DCDC副边整流提供适配不同电池组电压的方案。为450V高压电池组提供更具性价比的650V 75A IGBT SGTQ75V65FDB2P7。为800V高压电池组提供1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B,满足更高功率等级与功率密度的需求。

16685844658137030rEL.png

11kW OBC电路结构

高压DCDC配套功率半导体解决方案

士兰为高压DCDC电路原边提供450V和800V两种电池组电压的解决方案。为450V电池组电压提供超结Mos SVSQ65R110P7HD4,满足整车2~3kW的功率等级与体积成本需求。为800V电池组电压提供SiC Mos SCDP120R080NP4B,满足更高电池组电压的要求,对高压DCDC功率等级提供了更大的可扩展性。

士兰为高压DCDC电路副边提供100V 2.3mohm SGT Mos SVGQ102R3NS6,100V耐压有利于兼容不同控制策略,低导通电阻可以减少器件的数量。辅助电池防反接开关管提供40V 1.3mohm  SGT Mos SVGQ041R3NL5V-2HS,低导通电阻有利于减少器件数量,提高整机效率。

1668584514812290sxIN.png

高压DCDC电路结构

在新能源汽车迅速发展与国产半导体替代两大浪潮下,士兰功率半导体可以为车载充电机提供更可靠、更具性价比且更高性能的完整解决方案。在稳产保供的大方针下,全力以赴促进客户发展和行业发展。

士兰微电子愿和您一起迎接未来挑战,共创绿色美好生活!(文/甘谨豪)