SVF3N150PF N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于开关电源。
3A，1500V，RDS(on)（典型值）=5.0Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 日期 | 下载最新中文版本 |
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| SVF3N150PF | 335 | 2020-08-21 | SVF3N150PF 说明书_1.2 |
