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车载充电机OBC

随着中国新能源汽车行业迅速发展,车载充电机(On-board Charger, OBC)应用需求与日俱增。士兰的功率半导体产品为车载充电机提供更完善、更小型且更可靠的全套设计方案。

针对6.6kW OBC市场的应用需求,Silan提供第五代IGBT产品用于前级各功率段PFC拓扑,而Hybrid IGBT与SJ MOS适用于不同控制策略的更高频率后级拓扑需求,实现6.6kW OBC的小型化及高可靠性能。

更高功率段11kW OBC的汽车产品,Silan自主研发全新平台碳化硅技术,更优秀的开关特性与更高的功率密度可以满足高效率、高可靠性要求的11kW OBC应用。低压MOS则适用于配套高压DC-DC电路,为辅助电池提供更高的充电功率,满足更加丰富的智能座舱及影视娱乐需求。

Silan推出全新半桥形式模块封装(HSOP-8),贴片化安装方式可极大程度优化OBC设备体积,其拥有比分立封装更优越的散热性能,满足整机更大功率、更小体积和自动化生产的需求。


方案拓扑

士兰车载充电器的硬件拓扑如下图,在各拓扑应用中使用士兰IGBT、MOSFET方案。

未标题-1.png


方案产品


分立器件

功率段拓扑分类产品分类典型产品型号典型封装产品规格书
6.6kWPFC50A/650V IGBTSGTQ50V65UF1P7TO-247-3L

SGTQ50V65UF1P7 说明书.pdf

PFC/LLC50A/650V IGBT+20A/650V SiC SBDSGTQ50V65UFCR3P7TO-247-3L

SGTQ50V65UFCR3P7 说明书.pdf

PFC75A/650V IGBTSGTQ75V65FDB1P7TO-247-3L

SGTQ75V65FDB1P7 说明书.pdf

PFC/LLC75A/650V IGBTSGTQ75V65FDB2P7TO-247-3L

SGTQ75V65FDB2P7 说明书.pdf

PFC50A/650V IGBTSGTQ50V65UF1S7TO-263-7L

SGTQ50V65UF1S7 说明书.pdf

PFC/LLC50A/650V IGBT+20A/650V SiC SBDSGTQ50V65UFCR3S7TO-263-7L

SGTQ50V65UFCR3S7 说明书.pdf

PFC40A/650V IGBTSGTQ40V65SDB2S7TO-263-7L

SGTQ40V65SDB2S7 说明书.pdf

LLC41mΩ/650V SJ-MOSSVSQ65R041P7HD4TO-247-3L
LLC80mΩ SiC MOSSCDQ120R080NB2P4BTO-247-4L


11kW
PFC/LLC80mΩ SiC MOSSCDQ120R080NB2P4BTO-247-4L
PFC40mΩ SiC MOSSCDQ120R040NB2P4BTO-247-4L
PFC40A/1200V IGBTSGTQ40T120SDB2P7TO-247-3L

SGTQ40T120SDB2P7 说明书.pdf

LLC
75A/650V IGBTSGTQ75V65FDB2P7TO-247-3L

SGTQ75V65FDB2P7 说明书.pdf

HV-DCDC

DC-DC Pri

110mΩ/650V SJ-MOS

SVSQ65R110P7HD4

TO-247-3L
80mΩ SiC MOSSCDQ120R080NB2P4BTO-247-4L
DC-DC Sec4.5mΩ/100V MOSSVGQ104R5NATCTO-220
4.1mΩ/100V MOSSVGQ104R1NL5V-2LSPDFN5*6
1.5mΩ/100V MOSSVGZ101R5NLQ-2HSTOLL
2.5mΩ/100V MOSSVGQ102R5NLSsTOLL
Oring1.3mΩ/40V MOSSVGQ041R3NL5V-2HSPDFN5*6

SVGQ041R3NL5V-2HS 说明书.pdf

1.0mΩ/40V MOSSVGQ041R0NL5V-2HSPDFN5*6

SVGQ041R0NL5V-2HS 说明书.pdf

1.0mΩ/40V MOSSVGQ041R0NLPLFPAK56

SVGQ041R0NLP 说明书.pdf


半桥模块

功率段拓扑分类产品分类典型产品型号典型封装产品规格书
6.6kWPFC75A/650V IGBTSGMQ75V65HSFDB1HSOP-8
LLCSGMQ75V65HSFDB1SVMQ65R041HSHD4HSOP-8
DC-DC110mΩ/650V SJ-MOSSVMQ65R110HSHD4HSOP-8